重磅 | ag平台游戏官网光电推出第三代半导舷列新产品
2021-04-20 04:00
第三代半导体
2020年10月，ag平台游戏官网光电乐成举行了首届ag平台游戏官网之光论坛，论坛上ag平台游戏官网光电宣布将紧抓国产化机缘，迅速拓展第三代半导体新赛道 。近期，ag平台游戏官网光电正式推出一系列第三代半导体新产品，在新的赛道上迈出了坚实的程序 。
01 新赛道 开新局
第三代半导体是国家2030妄想和“十四五”国家研发妄想的主要生长偏向 。与古板的硅基半导体相比，以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体除了具备较大的禁带宽度之外，还具有高导热率、高电子饱和漂移速率、高击穿电压、优良的物理和化学稳固性等特点 。风乘国家“十四五”对半导体集成电路领域的妄想，ag平台游戏官网光电在“三代半封测”领域鼎力大举结构，在传承“LED封测”高可靠性的票鹄胛理系统基础上，致力于打造高可靠性及高品质优势的“专业三代半功率封测企业” 。02 新偏向 立异品
现在，ag平台游戏官网光电在第三代半导体领域已经形成了3大产品系列，包括：SiC功率器件、GaN-DFN器件、功率 ？ 。ag平台游戏官网光电打造高可靠性、高品质的功率器件封测企业，坚定高性能、高可靠性、高品质的产品蹊径 。●SiC功率器件ag平台游戏官网光电SiC功率器件小而轻盈，反向恢复快、抗浪涌能力强、雪崩耐压高，拥有优越的性能与极高的事情效率 。现在该领域已形成了2条SiC功率器件拳头产品线：SiC-MOSFET、SiC-SBD；拥有4种封装结构（TO-247、TO-220、TO-263、TO-252）；可普遍应用于大功率电源、充电桩等工业领域 。
●GaN-DFN器件
ag平台游戏官网光电的GaN-DFN器件具有更高的临界电场、精彩导通电阻、更低的电容等优势，使其尤适用于功率半导体器件，降低节能和系统总本钱的同时，事情频率更高，具有极高的功率密度和系统效率，可极大地提升充电器、开关电源等应用的充电效率，普遍应用于新能源汽车充电、手机快充等 。
●功率 ？
ag平台游戏官网光电第三代半导体功率 ？，接纳自主立异的架构及双面高效散热设计，具有优越的电性能和热性能，杂散电感低、转换效率高、轻载消耗小等优势，其功率密度大，产品体型小，可普遍应用于种种变频器、逆变器的工业领域，知足系统开发职员对空间的严酷要求 。 ？椴房善局ぬ厥夤π枨缶傩心 ？榛ㄖ瓶 。
03 “星”速率 见实效
为做好手艺储备积累，知足市场需求，2020年ag平台游戏官网光电便启动了组立功率器件实验室及功率器件产线的事情 。现在，ag平台游戏官网光电第三代半导体新品已正式推出，其中，TO-220/TO247系列的SIC-MOSFET和SIC-SBD产品已经进入了试产阶段，并且在样品阶段完成了AEC-Q101车规级标准的摸底测试验证事情 。TO-247-3L的性能抵达1200V、40A、80mΩ，TO-220-3L抵达1200V、13A、160mΩ 。
与此同时，公司产品已送至第三方有资质的机构，正在依据AEC-Q101、JESD22、MILSTD-750等有关车规级和工业级标准举行认证测试 。
未来，在国家“十四五”妄想的伟大蓝图下，ag平台游戏官网光电定将一连加大第三代半导体的研究开发和手艺效果转化，为国家战略清静、为第三代半导体国产化孝顺实力 。
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